英飞凌发布全球首款300毫米碳化硅（SiC）功率晶圆，标志着宽禁带半导体制造的重大规模升级。从150毫米转向300毫米衬底有望大幅降低成本并提高电动汽车、工业和能源应用的生产效率。
背景
碳化硅（SiC）是用于电动汽车和可再生能源系统中高效大功率半导体的关键材料。SiC生产长期以150毫米晶圆为主，转向300毫米将遵循传统硅数十年的成本下降路径。
- 来源
- Hacker News (RSS)
- 发布时间
- 2026年11月10日 02:25
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英飞凌发布全球首款300毫米碳化硅（SiC）功率晶圆，标志着宽禁带半导体制造的重大规模升级。从150毫米转向300毫米衬底有望大幅降低成本并提高电动汽车、工业和能源应用的生产效率。
碳化硅（SiC）是用于电动汽车和可再生能源系统中高效大功率半导体的关键材料。SiC生产长期以150毫米晶圆为主，转向300毫米将遵循传统硅数十年的成本下降路径。